本篇文章给大家谈谈碳化硅和碳化硅外延片，以及碳化硅外延设备上市公司对应的知识点，希望对各位有所帮助，不要忘了收藏本站喔。
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特斯拉领军,半导体新材料碳化硅需求起飞
1、但 自从特斯拉Tesla推出Model3，采用以24个碳化硅 MOSFET为功率模块的逆变器后，碳化硅（SiC）这类新型半导体材料越来越受重视。目前碳化硅器件在电动车上应用主要是功率控制单元、逆变器、DC-DC 转换器、车载充电器等方面。
2、近日，据外媒报道，一大批采用SiC（碳化硅）芯片的新型 汽车 正在路上，作为全球首批采用SiC芯片的 汽车 ，特斯拉Model3拥有更长的续航时间，更加优秀的持续高性能表现，而这些提升正是它引领了市场开始变化的重要原因之一。
3、年9月，特斯拉宣布旗舰车型Model3将搭载意法半导体的碳化硅功率器件，此举是碳化硅“上新能源车”的里程碑 。在诸多优势之下，碳化硅搭上了新能源的快车道。
4、特斯拉是率先使用碳化硅功率器件的车企，其Model Model Y采用意法半导体的碳化硅MOSFET模块，显著提升了车辆续驶里程和其他性能。2020年，比亚迪高端车型“汉”也配装碳化硅功率模块。
硅外延和碳化硅外延的区别
1、碳化硅外延过程和硅基本上差不多，在温度设计以及设备的结构设计不太一样。在器件制备方面，由于材料的特殊性，器件过程的加工和硅不同的是，采用了高温的工艺，包括高温离子注入、高温氧化以及高温退火工艺。
2、外延：在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求（厚度和掺杂浓度）、与衬底晶向相同的单晶层，犹如在原来的晶体向外延伸一段，称之为外延。碳化硅外延晶片即以碳化硅单晶作为衬底生长的外延片。
3、目前碳化硅晶圆主要是4英寸与6英寸，而用于功率器件的硅晶圆以8英寸为主，这意味着碳化硅单晶片所产芯片数量较少、碳化硅芯片制造成本较高。
4、外延生长：这是多层外延工艺的起始步骤。在外延生长过程中，通过在晶片表面沉积多层半导体材料，如硅（Si）或碳化硅（SiC），来创建多层材料结构。
5、高频射频（RF）器件： 碳化硅在高频射频应用中具有低损耗和高电子迁移率的特点，因此适用于制造高性能的射频功率放大器、射频开关和微波器件。这些器件在通信、雷达和无线网络等领域中扮演关键角 。
碳化硅外延晶片的概念是什么?
1、碳化硅外延晶片即以碳化硅单晶作为衬底生长的外延片。
2、碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。
3、硅外延和碳化硅外延的区别：意思不同。硅外延，在适合的晶体底层上的单个晶体半导体薄膜的生长就是外延生长。碳化硅外延，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。
4、碳化硅外延过程和硅基本上差不多，在温度设计以及设备的结构设计不太一样。在器件制备方面，由于材料的特殊性，器件过程的加工和硅不同的是，采用了高温的工艺，包括高温离子注入、高温氧化以及高温退火工艺。
5、分子束外延（MBE）法：这种方法属于超高真空技术，通过将元素原子束或分子束打到衬底上来生长晶体。 液相外延生长（LPE）法：通过液相的碳化硅溶液，在高温高压的环境中，使衬底进行完美的外延生长。
6、碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿 碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。
第三代半导体材料碳化硅发展历程及制备技术
1、在材料方面，除了硅基，第三代宽禁带半导体是这几年的热门技术，我国除了在硅基方面进行追赶外，在第三代半导体方面也做了很多投入，有了不少的创新研究。
2、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的一大类材料，半导体材料经历了三个发展阶段，不同阶段出现的材料被称为第一代、第二代、第三代半导体材料。第一代半导体又称为“元素半导体”，典型如硅基和锗基半导体。
3、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）——并称为第三代半导体材料的双雄。图2第三代半导体的材料特性相对于Si，SiC的优点很多：有10倍的电场强度，高3倍的热导率，宽3倍禁带宽度，高1倍的饱和漂移速度。
4、历史 意义： 第一代半导体材料引发了以集成电路(IC)为核心的微电子领域迅速发展。 对于第一代半导体材料，简单理解就是：最早用的是锗，后来又从锗变成了硅，并且几乎完全取代。 原因在于： ①硅的产量相对较多，具备成本优势。
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