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碳化硅革命与800V纯电的真伪“罗生门”
同时也明白了800V高压平台与碳化硅的关系即：800V架构通过搭载碳化硅功率元件，可以让电机实现更强的动力输出，同时保持更持久的大功率输出。
首先，800V系统的成本较高，需要更高的技术水平和更贵的材料。例如，800V高压系统需要使用碳化硅或氮化镓等高性能的半导体材料，以提高耐高压和抗热的能力。这些材料的价格远高于传统的硅材料，因此会增加800V系统的制造成本。
“大家到时候可以看到我们推出的800V高压平台电动车，因为4C还有一定的选择性，大概可以做到跟增程相同的价格，这可能跟大家想象的不一样，因为今天大家都认为800V碳化硅会带来一个更贵的价格，其实不是，它可以节省非常多的成本。
但智己LS6最大的亮点，其实是高配车型搭载的800V碳化硅电驱系统。 379kW的后驱电机，参数几乎是目前量产电动车里最强的(甚至超越了路特斯Evija和科尼赛克Gemera)，21000的最高转速也是绝无仅有。
mos管储存几年
1、存储器内部是有很多很多的MOS管组成，MOS管的栅极的电压充了电是很难释放的（最高保存10年以上），也就是MOS管的栅极的电压是记忆功能的。
2、ROM是只读储存器，掩膜只读储存器是在出厂时内部储存的数据就已经固化在芯片内部。
3、小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧至几十毫欧左右，选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
4、结型场效应管则要尽可能高些，因为他们本来就不高，一般BVDSS为30～50V，BVGSS为20V。 VMOS管的BVGSS尽可能高些，因为VMOS管子栅极很娇气，很容易被击穿，储存或操作要慎之又慎，防止带静电的物体接触管脚。
5、动态MOS存储单元存储信息的原理，是利用MOS管栅极电容具有暂时存储信息的作用。
25N60C3是MOS管,还是IGBT
属于MOS管，表示电流20A，电压600伏。 开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（PWM）控制IC和MOSFET构成。
W。20n60c3场效应管参数功率是208W，在高压MOS管能够让AC/DC开关电源芯片保持稳定工作，从而让开关电源保持输出电源稳定。20n60c3大管和小管功能是一样的，因为20n60c3无论大管还是小管都是场效应管管子。
不是三极管，是场效应管，参数：电流额定30A最大60A、耐压600V 有30N60这几个字的其它场效应管都可代换，参数一样，只是厂家不同。
以N沟道MOS场效应管5N60C为例，来详细介绍一下具体的测量方法。N沟道MOS场效应管好坏的测量方法 用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。
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