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【P001】IGBT技术
这正是以低损耗和高开关频率而著称的新IGBT技术施展的舞台。在62毫米（当前模块的标准尺寸）模块中使用新IGBT技术使用户可以因不必改变其机械设计概念而获益。
IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1)，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种半导体功率开关器件，结合了双极晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）的特性。IGBT的作用是在高电压和高电流应用中实现电能的控制和转换。
年，MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构(P-N-P-N四层组成)，其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。
刚刚!巴菲特放大招7万亿赛道燃了
1、今日7万亿市值的半导体板块大涨，截至发稿涨近7%，创耀科技20CM涨停，卓胜微、中颖电子等涨超15%，芯朋微、艾为电子、和林微纳等涨超12%，680亿巨头兆易创新封板。
2、千亿市值的韦尔股份也涨停。最新数据显示，巴菲特旗下的伯克希尔在三季度建仓买入台积电，持仓市值达41亿美元。此外，伯克希尔三季度还建仓建材制造商Louisiana-Pacific及杰弗瑞(JEF)。
3、任泽平称，巴菲特未来在投资方面将会变得越来越保守，而不是进取，业绩也大不如前，如果不能培养好接班人，存在“晚节不保”的风险。
第三代半导体材料碳化硅发展历程及制备技术
1、半导体材料按发展顺序可分为第一代硅与锗，第二代的砷化镓和磷化铟，以及第三代的宽禁带材料如碳化硅、氮化镓等。禁带宽度决定材料的耐压和工作温度，碳化硅凭借三倍于硅的宽度，成为高压、高温环境的理想选择。
2、半导体世界的进化历程中，碳化硅与硅一起，引领了三代技术革新：硅的初代、光电子领域的二代，以及高电压、高频应用的三代，后者包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的崛起。
3、全球碳排放压力下，第三代半导体凭借其高能效和低碳特性，成为了科技发展的新焦点。第三代半导体的独特之处在于，即使在高频状态下，它仍能保持卓越性能和稳定性。
电动汽车变流器中的电力半导体器件有几类?
1、双极型器件是指器件内部的电子和空穴两种载流子都参与导电过程的半导体器件。这类器件的导通电阻小于0.09Ω，导通电压降低，阻断电压高，电流容量大。
2、从这些功率半导体器件的开关特性来说，分为三类。第一类是二极管，加上正向电压就接通，加上反向电压就断开，称为不控型器件，第二类是晶闸管，加上正向电压时，能控制接通，不能控制断开，称为半控型器件。
3、双极型器件，是指在器件内部电子和空穴两种载流子都参与导电过程的半导体器件 这类器件具有通态压降低、阻断电压高和电流容量大的特点。适合中大容量的变流装置。
4、电力电子器件（Power Electronic Device），又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）电子器件。
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