本篇文章给大家谈谈碳化硅的电阻率是多少，以及碳化硅的导电性怎么样对应的知识点，希望对各位有所帮助，不要忘了收藏本站喔。
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某实验小组的同学想通过实验测定一根碳硅棒的电阻率,他们用螺旋测微器...
（1）B，0.410；（2）9，断路；（3）电流表改为内接；测量多组电流和电压值，计算出电阻的平均值。
有机光导体为什么没光照时是绝缘体,有光照时是导体?
1、【1】OPC是有机光导体（Organic Photoconductor）的缩写。
2、绝缘体和导体之间没有明显的界限。这是因为，导体和绝缘体在一定条件下可以相互转化。绝缘体和导体的区分主要是内部能自由移动电荷的数量，这也与电压、温度等外部条件有关。
3、不能导电或者导电能力极差的物体叫做绝缘体。由于绝缘体的原子结构与导体不同，它的电子和原子核结合得很紧密，极难分离，将此类物质接上时，流过的电流极小（几乎接近零）。
碳化硅的电导率是多少?
1、电阻率在10-2—1012V.cm之间，电导率随温度升高而增加。
2、常温下，金刚砂是一种半导体，导电性能在导体和绝缘体之间，电阻率在102~1012Ω．cm范围内，并随晶体中引入杂质的种类和数量的不同而变化。对碳化硅导电性能影响最大的杂质是铝、氮和硼。含铝较多的碳化硅导电性能显著增大。
3、○ 电阻率在10-2—1012V.cm之间，电导率随温度升高而增加。
4、碳化硅 导热率 为17W/(mK)，是理想的 耐火材料 ，目前国内金蒙新材料的碳化硅比较理想，可以作为参考，希望我的回答对你有用。
5、例如，硅中只含有亿分之一的硼，电阻率就会下降到原来的千分之一。如果所含杂质的类型不同，导电类型也不同。由此可见，半导体的导电性与所含的微量杂质有着非常密切的关系。
碳化硅高温时内阻低的原因
1、根据百度查询显示：碳化硅mos标内阻的原因如下：材料本身的特性：碳化硅材料具有较高的电子饱和漂移速度和较大的电子迁移长度，使得碳化硅MOSFET能够在高电压下实现低内阻。
2、电学性质：常温下工业碳化硅是一种半导体，属杂质导电性。纯度高的碳化硅磨料随着温度的升高电阻率下降，含杂质碳化硅根据其含杂质不同，导电性能也不同。碳化硅的另一电性质是电致发光性，现已研制出实用器件。
3、工业碳化硅的电阻率与温度的关系更为复杂。温度较低时温度上升电阻下降，约在1500℃时电阻开始逐渐增大，2600℃时接近常温下的电阻，之后随温度升高电阻又趋于增大。碳化硅的这种导电性能对于冶炼工艺有相当的影响。
4、热膨胀系数较低（仅大于氮化硅），可在高温环境中保持较好的尺寸精度.碳化硅对以下元素具有很好的高温稳定性。
5、温度过高。因为半导体材料属于负_度系数，温度越高电阻越小。LED灯珠的效率不可能达到100%，所以会产生很多热量。而芯片发热导致内阻降低又促使电流进一步增加，如此恶性循环LED灯珠就会很快烧掉。
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