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碳化硅的热导率和线膨胀系数?
1、这一点具体表现在它具有高的热导率(导热系数)和较低的线膨胀系数。一般工程计算上取碳化硅的导热系数为28～63W.M-K-1。此值约为刚玉导热系数的4倍。
2、碳化硅的热膨胀系数与温度有关，373K，线膨胀系数58×10；1173K线膨胀系数98×10。因此热膨胀系数与热容密切相关，并与热容有着相似的规律。
3、高热导率。碳化硅的热导率达到了120-200 W/mK，是传统陶瓷材料的2-3倍，因此会产生较低的热应力和热震荡。 高耐热性。碳化硅的熔点高达2700°C，可以在高温环境下使用。 高机械强度。
碳化硅晶胞半径计算公式
半径等于晶胞边长的一半。根据查询道客巴巴网显示，在碳化硅的晶体结构中，每个晶胞内有4个碳原子和4个硅原子，形成六方最密堆积结构，推导出晶胞半径等于边长的一半。
当两个六面体晶体之间的距离小于等于两个晶胞长度相加时，它们之间存在相互作用。六面体晶体的距离计算公式是：d = nl/(h^2+k^2+l^2)其中，d代表晶体间距离，n代表晶胞数，l代表晶格常数，h、k、l代表晶面系数。
碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的 α-SiC和立方体的β-SiC（称立方碳化硅)。碳化硅晶体一个晶胞内有4个碳原子和4个Si原子。α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体。
常压烧结碳化硅与反应结合碳化硅哪个更耐酸性
1、烧制过程不同。反应烧结是在较低的温度下，使游离硅渗透到碳化硅中。而无压烧结是在2100度下，自然收缩而成的碳化硅制品。烧结的产品技术参数不同。反应的体积密度、硬度、抗压强度等与无压的碳化硅产品技术参数不同。
2、碳化硅被氢氟酸腐蚀的，一般氢氟要是在溶液中才能反应。碳化硅：碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿 碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。
3、常压反应。常压反应烧结碳化硅最好，常压反应烧结碳化硅是在不施加外部压力的情况下，通过添加合适的烧结助剂，在2000～2150℃温度间，可对不同形状和尺寸的样品进行致密化烧结。
4、例如，反应烧结主要用于制备碳化硅陶瓷的复合材料；常压烧结适用于生产高密度、高强度的碳化硅陶瓷；热压烧结则可以制备出高硬度、高耐磨性的碳化硅陶瓷；而热等静压烧结技术则可以用于制备具有良好高温性能和耐腐蚀性的碳化硅陶瓷。
5、碳化硅和金属：碳化硅在高温下能够与一些金属反应，形成金属碳化物。这些金属碳化物具有特殊的性质，例如硬度较高。碳化硅通常被用于与金属结合，以制造耐高温和耐磨损的材料。
6、对表面要求严格的，无压烧结的产品已经取代了反应烧结产品。化学成分一样，都是碳元素与硅元素一比一的物质的量组成，化学式都是SiC，无压烧结碳化硅是碳化硅的一种类型。之所以物理性质不同是因为晶体结构不同。
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