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氮化硅陶瓷的研究现状
把相对密度在95%以上、线密度对于烧结体的二维横截面上的50μm的长度在120～250范围内的氮化硅及Sialon烧结体；在1300～1700℃的温度下通过拉伸或压缩作用使其在小于10-1/秒的应变速率下发生塑性形变从而进行成型。
控制晶粒尺寸：氮化硅陶瓷的晶粒尺寸对其韧性有显著影响。研究表明，通过控制陶瓷材料的烧结条件和添加特定的添加剂，可以控制氮化硅陶瓷的晶粒尺寸，从而改善其韧性。微观结构优化：通过优化氮化硅陶瓷的微观结构，可以提高其韧性。
陶瓷材料保持架因兜孔加工、成型技术等难题，现还较少采用；由于保持器的材料限制针对特种使用场合又开发了无保持器的氧化锆满球全陶瓷轴承和氮化硅满球全陶瓷轴承和复合满球陶瓷轴承。
氮化硅陶瓷跟氮化铝陶瓷哪个导热系数高?
氮化硅陶瓷。目前常用的氧化铝基板热导率低、氮化铝基板可靠性差，限制其在高端功率半导体器件中的应用。
一，导热性能不同，氮化铝陶瓷基板有更高的导热率 氮化硅陶瓷基板的导热率一般75-80W/(m·K），氮化铝陶瓷基板的导热率最高可以去掉170W/(m·K），可见氮化铝陶瓷基板有这 更高的导热性能。
氮化铝陶瓷具有高热导率、高强度、高电阻率、密度小、低介电常数、无毒、以及与Si相匹配的热膨胀系数等优异性能(这里的si其实就是硅。也就是我们常说的芯片)，因此来说这种材料是非常适合做基板（电路板）的。
要看不同厂家的测试数据和实际填充后的效果，平均来说 有200左右，不能有吸水的现象。
室温强度高，且强度随温度的升高下降较慢。导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强，是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。氮化铝还是电绝缘体，介电性能良好，用作电器元件也很有希望。
陶瓷粉末中导热最好的是氧化铍，其次是氮化铝、氮化硅、氮化硼、氧化镁、氧化铝等 在电子行业用导热硅胶。
氮化硅陶瓷的材料性能
1、而陶瓷材料因具有密度小、弹性模量高、线膨胀系数小、耐磨、耐高温、耐腐蚀等优良性能，成为高速制造精密轴承的理想材料。
2、氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。
3、密度和机械性能：氮化硅陶瓷经过高温烧结处理，具有相对较高的密度和优异的机械性能，包括高强度、硬度和耐磨性。热传导性能：氮化硅陶瓷具有较高的热传导性能，能够有效地导热，适用于高温和高功率应用。
4、氮化硅陶瓷材料具有 热稳定性 高、抗氧化能力强以及 产品尺寸 精确度 高等优良性能。
5、Si3N4 陶瓷材料作为一种优异的高温工程材料，最能发挥优势的是其在高温领域中的应用。
氮化硅陶瓷用途?
1、此外，氮化硅陶瓷还具有良好的电绝缘性能。它可以有效地防止电流的通过，因此在需要绝缘的建筑部位中具有潜在的应用价值，如电力设施、通信基站等。然而，氮化硅陶瓷的制造成本相对较高，且加工难度较大。
2、利用Si3N4 重量轻和刚度大的特点，可用来制造滚珠轴承、它比金属轴承具有更高的精度，产生热量少，而且能在较高的温度和腐蚀性介质中操作。
3、适用于多种环境影响。氮化硅陶瓷多用于高温高速强腐蚀介质的工作环境氮化硅是一种高温结构陶瓷，适用于多种环境影响，具备强度大，溶点高、物理性质平稳。
4、它是一种超硬物质，本身具有润滑性，并且耐磨损，为原子晶体；高温时抗氧化。而且它还能抵抗冷热冲击，在空气中加热到1000℃以上，急剧冷却再急剧加热，也不会碎裂。
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